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國家存儲器基地項目二期于武漢開工 月規劃產能20萬片

【TechWeb】6月20日消息,國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區開工。國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設,計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠。

國家存儲器基地項目一期于2016年底開工建設,進展順利,32層、64層存儲芯片產品已實現穩定量產,并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。

項目計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠,總投資240億美元。

其中,一期主要實現技術突破,并建成10萬片/月產能;二期規劃產能20萬片/月,兩期項目達產后月產能共計30萬片。

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