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單顆最大容量16GB 三星推出業界首款第三代HBM2E顯存

2月5日消息 日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。

第三代HBM2存儲芯片單顆最大容量16GB,由16Gb的單Die通過8層堆疊而成,可實現16GB的封裝容量,并確保3.2Gbps的穩定數據傳輸速度。

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三星方面表示,新型16GB HBM2E特別適用于高性能計算(HPC)系統,并可幫助系統制造商及時改進其超級計算機、AI驅動的數據分析和最新的圖形系統。

三星預計第三代HBM2存儲芯片將在今年上半年開始量產。三星將繼續提供第二代Aquabolt產品陣容,同時擴展其第三代Flashbolt產品。

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